vgs(vgs是什么(me)意思)
Vgs是負壓是PMOS類(lei)型的管子。
Vgs是柵(shan)極相對于源極的電壓。與NMOS一樣(yang),導通的PMOS的工作(zuo)區(qū)域也分為非飽和區(qū),臨界飽(bao)和點和飽和區(qū)。當然,不論NMOS還(hai)是PMOS,當未形(xing)成反型溝道時,都處(chu)于截止區(qū)。
MOS管(guan)的原理:
雙極型晶體管把輸入端電(dian)流的微小變化放大后,在輸(shu)出端輸出一個大的電流(liu)變化。雙極型晶(jing)體管的增益就定義為輸(shu)出輸入電流之比(beta)。另(ling)一種晶體管,叫做場效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化(hua)為輸出電流的變化。
MOS管中Vgs是什么意思Vgs是柵極相(xiang)對于源極的電壓。
與NMOS一樣,導(dao)通的PMOS的工作區(qū)域也分為(wei)非飽和區(qū),臨界飽和點和飽和區(qū)。當(dang)然,不論NMOS還是PMOS,當未形成反型溝道時,都處于截止區(qū),其(qi)電壓條件是:
|VGS||VTP (PMOS)|,
值得(de)注意的是,PMOS的VGS和VTP都是負值。
PMOS集成電路(lu)是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)(ying)用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓(ya)供電。MOS場(chang)效應(yīng)晶體管具有很高(gao)的輸入阻抗,在電路中便于直(zhi)接耦合,容易制成規(guī)(gui)模大的集成電路。
擴(kuo)展資料
PMOS工作原理——
因為PMOS是N型硅(gui)襯底,其中的多數(shù)載流子是(shi)電子,少數(shù)載流子是空(kong)穴,源漏區(qū)的摻雜類型是P型,所以,PMOS的工作條件是在柵上相對于源(yuan)極施加負電壓,亦即在PMOS的柵上施加的是負電(dian)荷電子,而在襯底感應(yīng)的是可運動(dong)的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層(ceng)。
當達到強(qiang)反型時,在相對于源端為負的(de)漏源電壓的作用下,源端的正電(dian)荷空穴經(jīng)過導通的P型溝道到達漏端(duan),形成從源到漏的源漏電流。同樣(yang)地,VGS越負(絕對(dui)值越大),溝道的導(dao)通電阻越小,電流的數(shù)值越大(da)。
MOS管中VGS的(de)作用親,對于NMOS,bulk襯底端B跟S通(tong)常都連接到一起接地。這是(shi)為了防止BS之間的二極管正向(xiang)導通。另外你說(shuo)的也沒錯,閾值電壓VT的(de)確受SB間的電壓影響,V_SB越(yue)高,VT越大。模擬電路設(shè)計中(zhong)要注意的問題之一就是源極S電(dian)壓對閾值的影響。
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