快科技3月4日消息，據(jù)外媒最新報(bào)道稱，英偉達(dá)將推出的“Blackwell”架構(gòu)，其功耗非常的夸張，基于這個(gè)平臺(tái)的產(chǎn)品功耗上表現(xiàn)都會(huì)遠(yuǎn)超前代產(chǎn)品。

報(bào)道中提到，戴爾首席運(yùn)營官Jeff Clarke爆料：英偉達(dá)將于2025年推出載有“Blackwell”架構(gòu)的B200產(chǎn)品，功耗或?qū)⑦_(dá)到1000W。

目前，英偉達(dá)尚未透露Blackwell架構(gòu)的詳細(xì)信息，如果從芯片制造的角度、參考散熱的基本經(jīng)驗(yàn)法則（每mm2芯片面積最高散熱量為1W）來看：

英偉達(dá)的H100（基于定制4nm級(jí)工藝技術(shù)構(gòu)建）的功耗約為700W（包含HBM內(nèi)存功率在內(nèi)），并且考慮到芯片裸片的面積大小為814mm2，因此每平方毫米的功耗實(shí)際是低于1W的。這就相當(dāng)于，B200的功耗將較H100增加40%以上。

事實(shí)上基于這個(gè)架構(gòu)的RTX 50系列功耗也不會(huì)太樂觀，之前有消息稱，RTX 5090用PCIe Gen 6的16-Pin供電接口后，功耗可以超過600W，而高端系列可以超過450W，中端功耗在300-350W之間。

所以在這樣架構(gòu)的功耗下，RTX 5090顯卡將比RTX 4090快60%到70%（近一倍）也不稀奇吧？

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